Đặc điểm chính
Hệ thống quang học cố định, tự động lấy nét thời gian thực, bàn ngang mang khí tĩnh cao cấp
Giao thoa kế độ phân giải cao giám sát vị trí bàn liên tục
Kiểm soát khí hậu tiên tiến, ổn định nhiệt độ ±0.1°C, môi trường ISO 4
Camera CCD tích hợp và camera tổng thể giúp căn chỉnh dễ dàng
Hỗ trợ 4 chế độ ghi (Write Modes) để tối ưu hiệu suất theo từng ứng dụng
Tạo cấu trúc phức tạp từ file CAD (DXF, BMP, STL, X,Y,Z-ASCII) lên đến 1023 mức xám
Phần mềm toàn diện: thao tác và kết hợp file CAD, tạo mẫu phức tạp, tối ưu cấu trúc
Mô tả chi tiết
Công nghệ & nguyên lý
DWL 2000 GS / 4000 GS – Hệ quang khắc laser Grayscale, dùng 1023 mức xám (khác quang khắc nhị phân truyền thống). Dữ liệu 3D CAD → map trực tiếp cường độ laser → tạo cấu trúc 2.5D liên tục (vi thấu kính, cách tử blazed) chỉ trong một bước.
Hạn chế của lithography truyền thống
Quang khắc nhị phân cần nhiều mask + nhiều bước khắc xếp chồng, dễ sai lệch căn chỉnh.
Với vi thấu kính/hologram, phương pháp cũ kéo dài hàng tuần do thiết kế, chế tạo mask và căn chỉnh nhiều lần.
Chi phí chrome mask rất cao, nhất khi cần nhiều mask cho cấu trúc phức tạp.
Thiếu phần mềm chuyển đổi trực tiếp 3D CAD → tín hiệu laser, gây sai lệch hình học.
Ưu điểm của hệ thống maskless lithography DWL 2000 GS / 4000 GS
Quy trình chỉ một bước grayscale - tiết kiệm chi phí và thời gian sản xuất mask, nhanh hơn e-beam lithography. Bề mặt mịn (độ nhám 5nm). Phần mềm nhập STL/DXF/BMP, tự động mapping; hỗ trợ GenISys BEAMER.
Tích hợp/mở rộng
Kết hợp profilometer, kính hiển vi; tương thích cản quang AZ 1500, AZ 4562; dễ tích hợp phòng sạch
Thông số kỹ thuật
Thông số | Giá trị |
Diện tích phơi sáng tối đa | 200 × 200 mm² (2000 GS), 400 × 400 mm² (4000 GS) |
Độ chồng lớp (3σ, trên 8"x8") | 300 nm |
Tốc độ ghi (tối đa) | 1250 mm²/phút |
Thông lượng tối đa | 5600 mJ/cm² (chế độ I) |
Phạm vi bù lấy nét tự động | 80 μm |
Nguồn sáng | Laser diode, 405 nm |
Độ dày đế | 0 – 12 mm |
