Nhựa cũng thải các hóa chất độc hại vào nước, gây thêm rủi ro cho sinh vật biển và con người tiêu thụ hải sản. Ô nhiễm nhựa có ảnh hưởng lan rộng và lâu dài đến hệ sinh thái biển. Những mảnh vụn như vậy có thể tồn tại hàng trăm hoặc thậm chí hàng nghìn năm, phân hủy thành các hạt vi nhựa và nhựa nano, đồng thời làm ô nhiễm nước, trầm tích và sinh vật biển - là mối đe dọa độc hại lâu dài đối với sự cân bằng sinh thái, đa dạng sinh học và sức khỏe của đại dương.
Khối phổ ion thứ cấp thời gian bay (ToF-SIMS) là một phương pháp phân tích vô cùng nhạy trên bề mặt sử dụng một chùm ion xung (Cs hoặc microfocused Ga) để loại bỏ các phân tử từ bề mặt ngoài cùng của mẫu. Các hạt được loại bỏ từ các lớp mono nguyên tử trên bề mặt (các ion thứ cấp). Sau đó các hạt này được gia tốc vào trong một ống bay được gọi là "flight tube" đồng thời khối lượng của chúng được xác định chính xác bằng việc đo lường chính xác khoảng thời gian mà chúng tới đầu dò (i.e. time-of-flight). Ba chế độ hoạt động được ứng dụng trên ToF-SIMS: khối phổ bề mặt, chụp ảnh bề mặt và định dạng độ sâu. Khả năng phân tích của ToF-SIMS bao gồm:
Các thuật ngữ khoa học thường được sử dụng thay thế cho nhau và các mô tả được khoa học chấp nhận liên tục được tinh chỉnh và diễn giải lại, điều này có thể dẫn đến sai sót trong hiểu biết khoa học. Mặc dù không thể loại bỏ hoàn toàn những lỗi như vậy, nhưng chúng có thể được giảm thiểu bằng cách làm cho chúng ta biết về chúng, hiểu rõ hơn về thuật ngữ và sử dụng các phương pháp khoa học cẩn thận và chu đáo. Điều này chắc chắn đúng khi hiểu về quang phổ và phép đo phổ, mặc dù giống nhau nhưng không giống nhau. Với suy nghĩ này, chúng ta hãy xem xét sâu hơn các thuật ngữ này.
Các loại electron khác nhau được phát ra từ các mẫu khi tương tác với chùm electron. Một máy dò điện tử tán xạ ngược BackScattered Electron (BSE) được đặt phía trên mẫu để giúp phát hiện các điện tử bị tán xạ ngược . Hình ảnh hiển thị thông tin tương phản giữa các khu vực có thành phần hóa học khác nhau vì các nguyên tố nặng hơn (số nguyên tử cao) sẽ sáng hơn. Một máy dò điện tử thứ cấp (SE) được đặt ở bên cạnh buồng điện tử, theo một góc, để tăng hiệu quả phát hiện các điện tử thứ cấp có thể cung cấp thông tin bề mặt chi tiết hơn.
Là phòng sạch phi kim loại sử dụng trong phân tích các nguyên tố siêu vết, các đồng vị phóng xạ sử dụng các thiết bị như khối phổ ICP-MS cho việc phân tích đồng vị U, Th và các nguyên tố siêu vết trong các mô và dịch sinh học, vật liệu bán dẫn…
