Semiconductor

Newest semiconductor chip manufacturing and further scaling down of CMOS devices push the limits of junction depths below the 10nm range, with a profile steepness of 1-2nm per decade. At such scale, the SIMS technique can be used to monitor in-depth distributions of dopants, proving that SIMS profiles can be measured with a depth resolution better than 1nm per decade.

As transistor structures continue to shrink to keep pace with Moore's Law the existing analysis and metrology techniques currently in use will no longer be sufficient to fully characterize the nanoscale devices. Atom probe has the unique capability to characterize the next-generation technology cycles by mapping the spatial distribution and chemical identity of dopants on the atomic scale.

Để thực hiện các thử nghiệm tải cơ học cho các mẫu vật có kích thước từ nanomet đến micron, việc xử lý chùm tia ion tập trung (FIB) và quan sát kính hiển vi điện tử quét (SEM) có tầm quan trọng rất quan trọng. Trong bài báo này, sau lần đầu tiên thảo luận về vai trò của FIB và SEM trong các thí nghiệm nhằm mô tả các tính chất cơ học của mẫu vật siêu nhỏ được chế tạo thông qua các quy trình từ trên xuống, chúng tôi trình bày một nghiên cứu trường hợp từ nhóm nghiên cứu của chúng tôi: thí nghiệm nén căng thẳng được thực hiện trong một SEM với quan sát tại chỗ.