Đặc điểm chính
Closed‑loop lithography – Kiểm soát độ sâu thời gian thực, sai số <1 nm, tạo grayscale chính xác.
In‑situ inspection – Chụp ảnh cấu trúc ngay sau khắc bằng chính đầu dò, xác nhận tức thì.
Grayscale nanolithography – Tạo cấu trúc 3D/2.5D cho quang tử, lượng tử, khung tế bào.
Hybrid mix & match – Kết hợp laser (DLS) gia công vùng rộng tốc độ cao với t‑SPL cho chi tiết nano.
Module Decapede – 10 đầu dò độc lập, tăng thông lượng 10 lần, độ phân giải <50 nm.
Markerless overlay & damage‑free – Căn chỉnh chính xác không cần marker, không hỏng vật liệu nhạy (2D, nanowire…).
Mô tả chi tiết
Công nghệ & nguyên lý
NanoFrazor dùng đầu dò nhiệt đốt nóng để bay hơi cản quang PPA, không tái lắng đọng. Vừa khắc vừa chụp ảnh bề mặt (in-situ imaging), điều khiển khép kín (closed-loop), đảm bảo độ sâu chính xác đến nanomet. Không proximity effect, không cần chân không cao.
Hạn chế của lithography truyền thống
Chùm điện tử năng lượng cao dễ phá hủy vật liệu 2D (MoS₂), nanowire.
Tạo cấu trúc 3D bằng e-beam cần nhiều bước khắc xếp chồng, căn chỉnh khó, sai số lớn.
Ưu điểm của hệ thống maskless lithography NanoFrazor
Damage‑free – dùng nhiệt, không hư hại vật liệu 2D, nanowire.
In‑situ inspection – chụp ảnh ngay bằng đầu dò, không cần thiết bị riêng.
Grayscale chính xác <1nm – closed‑loop cho phép tạo màng tế bào, grating, waveguide chỉ một bước.
Markerless overlay & auto‑stitching – căn chỉnh không cần dấu chuẩn, lý tưởng cho transistor đơn lớp.
Tích hợp & mở rộng
Hybrid DLS (laser vùng rộng µm + t-SPL nano). Glovebox tùy chọn cho mẫu nhạy khí. Quy trình transfer chuẩn (lift-off, etching, molding) với PPA + PMMA, PMMA/MA, PMGI.
Thông số kỹ thuật
Parameter | Value |
Độ phân giải (lateral) | 10nm |
Diện tích phơi sáng tối đa | 150 × 150 mm² |
Độ chính xác chồng lớp | 25nm |
Nguồn sáng | Không dùng laser – Dùng đầu dò nhiệt (heated tip) |
Cơ chế lấy nét | In‑situ topography imaging bằng chính đầu dò |
Độ dày đế | Lên đến 10mm |
Loại cản quang | PPA, PMMA, PMMA/MA, PMGI |
