Wafer Size: Smallest wafer pieces up to 200mm wafers
Electrode Diameter: 240mm electrode accommodates wafers up to 200mm in size for all system configurations
Electrode Temperature Range: Up to 400oC, with options for helium-assisted backside cooling and cryogenic electrode option down to −150 ∘ C
Plasma Power Frequencies: 13.56 MHz (for RIE, ICP, PE). For PECVD, stress control is provided by selectable or mixed high/low frequency plasma power
Datalogging: 50ms datalogging of capacitor values and continuous system data logging (50ms)
Gas Lines: Up to 12 gas lines
Overall Dimensions (mm): Height: 1527mm; Width: 762mm; Depth: 940mm (with wheels), 1256mm (for transportation purposes, likely without wheels). Wheels are removable and for transportation purposes only
- Hệ thống nhỏ gọn, chiếm ít không gian, dễ dàng lắp đặt và sử dụng, không ảnh hưởng đến chất lượng quy trình .
- Nhiều cấu hình công nghệ xử lý bao gồm RIE, ICP, PECVD và RIE/PE .
- Làm mát điện cực tối ưu mang lại khả năng kiểm soát quy trình, độ đồng đều nhiệt độ wafer và tính linh hoạt tuyệt vời .
- Bộ tự động khớp nối (AMU) tiên tiến cho phép cài đặt dễ dàng, khớp nối nhanh trong phạm vi rộng và truyền RF tuyệt vời .
- Các hệ thống phát hiện điểm cuối tùy chọn như giao thoa kế laser và quang phổ phát xạ quang (OES) để kiểm soát quá trình khắc .
- Hệ thống điều khiển khí mô-đun với cơ sở bỏ qua từ xa, cho phép lên đến 12 đường khí .
- Phần mềm PC4000™ thân thiện với người dùng cung cấp giao diện người dùng rõ ràng, quản lý công thức quy trình, ghi nhật ký dữ liệu liên tục (50ms) và hoàn toàn tương thích GEM/SECS .
- Tải nhiệt thấp và hiệu suất năng lượng cao.
