Hệ thống Quang khắc không mặt nạ sản xuất khối lượng lớn MLA 300
Đặc điểm chính
Thông lượng cao nhất dòng Heidelberg Instruments, độ phân giải 1.5μm
Công nghệ Maskless Aligner với SLM (Spatial Light Modulator) – mặt nạ động
Hiệu chỉnh biến dạng động (dynamic distortion correction) theo từng đế
Tự động lấy nét thời gian thực, bù warp và gợn sóng bề mặt
Hệ thống loader tự động, tùy chỉnh cấu hình, tích hợp Cognex và SECS/GEM
Bàn ngang khí tĩnh (frictionless airbearing table) – tốc độ cao, độ chính xác cao, bền bỉ
Diode laser tuổi thọ cao, không tiêu hao vật tư, chi phí sở hữu thấp
Mô tả chi tiết
Công nghệ & nguyên lý
MLA 300 dùng SLM làm mặt nạ động, chiếu trực tiếp từ dữ liệu số, mỗi die có pattern hiệu chỉnh riêng. Tích hợp camera Cognex để nhận dạng căn chỉnh và tự động lấy nét bằng khí nén hoặc quang học.
Hạn chế của lithography truyền thống
Với các ứng dụng FOWLP, chip được gắn lên wafer sau khi cắt nên vị trí mỗi die bị xê dịch ngẫu nhiên – mask vật lý không đáp ứng.
NanoFrazor dùng công nghệ khắc nhiệt không mặt nạ (t-SPL) với đầu dò siêu nhọn, tạo cấu trúc nano chính xác cao, không cần chùm điện tử hay mặt nạ đắt tiền. Độ sâu khắc sai số <1nm, tích hợp kiểm tra in-situ, hỗ trợ grayscale 3D cho quang tử nano, cảm biến lượng tử, màng sinh học. Module Decapede 10 đầu dò giúp tăng thông lượng gấp 10 lần.
DWL 2000 GS / 4000 GS đáp ứng chuẩn công nghiệp, hỗ trợ xuất CAD với 1023 mức xám. Công nghệ Grayscale độc quyền từ Heidelberg Instruments cho phép tạo cấu trúc 2.5D và vi thấu kính với độ nhám bề mặt xuống 5nm. Giải pháp tối ưu cho chế tạo hologram, bộ khuếch tán ánh sáng và thấu kính Fresnel trong nghiên cứu quang tử, vi quang học.
EIS-200ERP (Elionix Ion Beam Etching/Sputtering System): Đây là một hệ thống quang khắc/phún xạ chùm ion, cho phép ăn mòn vật liệu ở cấp độ nano và lắng đọng bằng cách sử dụng chùm ion ECR. EIS-220P: Một mẫu máy mới hơn, cũng thuộc dòng sản phẩm quang khắc/phún xạ chùm ion ECR.
PlasmaPro 80 là một công cụ nạp mở, nhỏ gọn để khắc và lắng đọng plasma. Nó đại diện cho thế hệ hệ thống plasma tiếp theo. Hệ thống này lý tưởng cho R&D hoặc sản xuất quy mô nhỏ, có khả năng xử lý từ những mảnh wafer nhỏ nhất đến wafer 200mm. Thiết kế nạp mở của nó cho phép nạp và dỡ wafer nhanh chóng, lý tưởng cho nghiên cứu, tạo mẫu và sản xuất khối lượng thấp.